창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP10NM50N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx10NM50N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 630m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-10770-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP10NM50N | |
| 관련 링크 | STP10N, STP10NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | EGF1D-E3/5CA | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA | EGF1D-E3/5CA.pdf | |
![]() | RT0603BRC0734R8L | RES SMD 34.8 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRC0734R8L.pdf | |
![]() | 556881-2 | 556881-2 AMP SMD or Through Hole | 556881-2.pdf | |
![]() | QZ998S | QZ998S MICRO SSOP28 | QZ998S.pdf | |
![]() | 50YK22M1PTTIE0511 | 50YK22M1PTTIE0511 RUBYCON SMD or Through Hole | 50YK22M1PTTIE0511.pdf | |
![]() | B8R0005 | B8R0005 B&RTEC SOP-8 | B8R0005.pdf | |
![]() | MD82284-12B | MD82284-12B INT DIP | MD82284-12B.pdf | |
![]() | MUR36CT | MUR36CT ON TO252 | MUR36CT.pdf | |
![]() | TMP86FH47AUG(ZHZ) | TMP86FH47AUG(ZHZ) TOSHIBA SMD or Through Hole | TMP86FH47AUG(ZHZ).pdf | |
![]() | SWCHT2000S04-P14 . | SWCHT2000S04-P14 . ORIGINAL BGA | SWCHT2000S04-P14 ..pdf | |
![]() | ABP1 | ABP1 PHI SMD or Through Hole | ABP1.pdf |