창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP1M012A060FH | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP1M012A060(F)H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2308pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 53W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP1M012A060FH | |
| 관련 링크 | GP1M012, GP1M012A060FH 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
![]() | EEE-1AA330SR | 33µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | EEE-1AA330SR.pdf | |
![]() | 381LQ102M180A012 | 1000µF 180V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 216 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | 381LQ102M180A012.pdf | |
![]() | VJ0805D3R6BXAAC | 3.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D3R6BXAAC.pdf | |
![]() | RCP0603W750RGS2 | RES SMD 750 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W750RGS2.pdf | |
![]() | S8G | S8G MCC DO-214AB | S8G.pdf | |
![]() | UPA1450 | UPA1450 NEC SOP-8 | UPA1450.pdf | |
![]() | EBL20142-1R0M-00 | EBL20142-1R0M-00 ORIGINAL SMD or Through Hole | EBL20142-1R0M-00.pdf | |
![]() | NG82GDP ES | NG82GDP ES INTEL BGA | NG82GDP ES.pdf | |
![]() | CL32X106KQJNNN | CL32X106KQJNNN SAMSUNG SMD | CL32X106KQJNNN.pdf | |
![]() | TPS71725DCKT | TPS71725DCKT TI SC70-5 | TPS71725DCKT.pdf | |
![]() | 293D106X0016C VISH | 293D106X0016C VISH VISH SOP | 293D106X0016C VISH.pdf | |
![]() | AND123Y | AND123Y AND SMD or Through Hole | AND123Y.pdf |