창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STF28NM60ND | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx28NM60ND | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | FDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 11.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2090pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-14192-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STF28NM60ND | |
관련 링크 | STF28N, STF28NM60ND 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
TH3D106M035A0700 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 700 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TH3D106M035A0700.pdf | ||
![]() | PT2512JK-070R1L | RES SMD 0.1 OHM 5% 1W 2512 | PT2512JK-070R1L.pdf | |
![]() | H4P560RFZA | RES 560 OHM 1W 1% AXIAL | H4P560RFZA.pdf | |
![]() | PBN1B222-R7 | PBN1B222-R7 Honeywell SMD or Through Hole | PBN1B222-R7.pdf | |
![]() | ST18952-W24 | ST18952-W24 ST QFP208 | ST18952-W24.pdf | |
![]() | BMR6124213/11R1A | BMR6124213/11R1A ERICSSON DIP | BMR6124213/11R1A.pdf | |
![]() | G6B-2014P-USDC12BYOMZ C | G6B-2014P-USDC12BYOMZ C OMRON SMD or Through Hole | G6B-2014P-USDC12BYOMZ C.pdf | |
![]() | LY3369F | LY3369F SIEMENS SMD or Through Hole | LY3369F.pdf | |
![]() | SCDS4D40T-4R7T-B-N | SCDS4D40T-4R7T-B-N CHILISIN SMD | SCDS4D40T-4R7T-B-N.pdf | |
![]() | IRS2151 | IRS2151 IR DIP-8 | IRS2151.pdf | |
![]() | HAI17555 | HAI17555 HIT SMD or Through Hole | HAI17555.pdf |