창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4100DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SI4100DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 63m옴 @ 4.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4100DY-T1-GE3-ND SI4100DY-T1-GE3TR SI4100DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SI4100DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4100DY-, SI4100DY-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 021502.5VXP | FUSE CERAMIC 2.5A 250VAC 5X20MM | 021502.5VXP.pdf | |
LHUV-0385-0300 | Ultraviolet (UV) Emitter 385nm ~ 390nm 3.1V 500mA 325mW/sr @ 500mA 125° 2-WFDFN | LHUV-0385-0300.pdf | ||
![]() | RCP0603W620RJEC | RES SMD 620 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603W620RJEC.pdf | |
![]() | BCT8240A | BCT8240A TI SMD or Through Hole | BCT8240A.pdf | |
![]() | MAX1232CSA-T | MAX1232CSA-T MAXIM SOP8 | MAX1232CSA-T.pdf | |
![]() | 20S100CT | 20S100CT ST TO-220 | 20S100CT.pdf | |
![]() | RE-153.3S | RE-153.3S RECOM SMD or Through Hole | RE-153.3S.pdf | |
![]() | 8-1393234-3 | 8-1393234-3 TEConnectivity SMD or Through Hole | 8-1393234-3.pdf | |
![]() | ADA4M | ADA4M ORIGINAL to-92 | ADA4M.pdf | |
![]() | JXO-5-1M | JXO-5-1M KYOSERAKINSEKI SMD or Through Hole | JXO-5-1M.pdf | |
![]() | PO919 | PO919 N/A SMD or Through Hole | PO919.pdf | |
![]() | PJWIP1091ME1AM | PJWIP1091ME1AM SHARP DIP | PJWIP1091ME1AM.pdf |