창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PKF2610SI | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | PKF2610SI | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOP-18 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | PKF2610SI | |
| 관련 링크 | PKF26, PKF2610SI 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B32520C1224J | 0.22µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | B32520C1224J.pdf | |
![]() | 416F37412IDT | 37.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37412IDT.pdf | |
![]() | SIT8008AI-71-18E-68.181810D | OSC XO 1.8V 68.18181MHZ OE | SIT8008AI-71-18E-68.181810D.pdf | |
![]() | VLF252012MT-4R7M | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.09A 220 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | VLF252012MT-4R7M.pdf | |
![]() | MM74HC42J | MM74HC42J NS DIP | MM74HC42J.pdf | |
![]() | TD6102AP | TD6102AP TOSHIBA SIP | TD6102AP.pdf | |
![]() | ISPLSI2032E-110LTN44 | ISPLSI2032E-110LTN44 Lattice QFP44 | ISPLSI2032E-110LTN44.pdf | |
![]() | 54F113DMQB | 54F113DMQB NS CDIP | 54F113DMQB.pdf | |
![]() | 86C785 | 86C785 S QFP | 86C785.pdf | |
![]() | S29AL016D90BAI01 | S29AL016D90BAI01 SPANSION SMD or Through Hole | S29AL016D90BAI01.pdf | |
![]() | D133AL | D133AL CHMC SOT89 | D133AL.pdf | |
![]() | RK73B3ALTE472J | RK73B3ALTE472J KOA SMD or Through Hole | RK73B3ALTE472J.pdf |