창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NZX9V1B,133 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NZX Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 568-7971-1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NZX9V1B,133 | |
관련 링크 | NZX9V1, NZX9V1B,133 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | S0402-6N8F3D | 6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-6N8F3D.pdf | |
![]() | RT1210FRD0735R7L | RES SMD 35.7 OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD0735R7L.pdf | |
![]() | RNF18BTD11K8 | RES 11.8K OHM 1/8W .1% AXIAL | RNF18BTD11K8.pdf | |
![]() | PT7M6127CLTA3E | PT7M6127CLTA3E PERICOM SOT23-3 | PT7M6127CLTA3E.pdf | |
![]() | RCD381/130G | RCD381/130G RCD SIP | RCD381/130G.pdf | |
![]() | PTSB12LV26PZT | PTSB12LV26PZT ORIGINAL TQFP-100 | PTSB12LV26PZT.pdf | |
![]() | NTB125N02 | NTB125N02 ON SMD or Through Hole | NTB125N02.pdf | |
![]() | NRA685K10R8 | NRA685K10R8 NEC SMD | NRA685K10R8.pdf | |
![]() | GF2H338M76140 | GF2H338M76140 SAMW DIP | GF2H338M76140.pdf | |
![]() | LFJ30-03B1907B025AF-199PTA59 | LFJ30-03B1907B025AF-199PTA59 muRata SMD | LFJ30-03B1907B025AF-199PTA59.pdf | |
![]() | ADM5170JP-REEL7 | ADM5170JP-REEL7 AD SMD or Through Hole | ADM5170JP-REEL7.pdf | |
![]() | 25VXR8200M30X25 | 25VXR8200M30X25 RUBYCON DIP | 25VXR8200M30X25.pdf |