창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSB8GTHE3_A/I | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NS(F,B)8AT thru NS(F,B)8MT | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 8A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 400V | |
정전 용량 @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSB8GTHE3_A/I | |
관련 링크 | NSB8GTH, NSB8GTHE3_A/I 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VBT2080C-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 20A 80V TO-263AB | VBT2080C-M3/4W.pdf | |
![]() | 3296P-103 | 3296P-103 BAORES 3296P | 3296P-103.pdf | |
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![]() | KS21493L3 | KS21493L3 S CDIP8 | KS21493L3.pdf | |
![]() | NTH08JC3250000 | NTH08JC3250000 SARONIX NA | NTH08JC3250000.pdf | |
![]() | LQW2BHNR22J | LQW2BHNR22J ORIGINAL SMD or Through Hole | LQW2BHNR22J.pdf | |
![]() | S29AL032D90TFI00/70TAI00 | S29AL032D90TFI00/70TAI00 MEMORY SMD | S29AL032D90TFI00/70TAI00.pdf | |
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![]() | CF50-221JTR | CF50-221JTR n/a NULL | CF50-221JTR.pdf | |
![]() | K4D263238E-VC38 | K4D263238E-VC38 ORIGINAL BGA | K4D263238E-VC38.pdf | |
![]() | ZGFM20-110 | ZGFM20-110 FormosaMS SMB DO-214AA | ZGFM20-110.pdf | |
![]() | MD28F512-12/B | MD28F512-12/B INTEL DIP | MD28F512-12/B.pdf |