창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MM3Z9V1T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MM3ZyyyT1G, SZMM3ZyyyT1G Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MM3Z9V1T3G | |
| 관련 링크 | MM3Z9V, MM3Z9V1T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | P160-103KS | 10µH Unshielded Inductor 464mA 570 mOhm Max Nonstandard | P160-103KS.pdf | |
![]() | CRCW20108K45FKEF | RES SMD 8.45K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20108K45FKEF.pdf | |
![]() | RG2012P-60R4-B-T5 | RES SMD 60.4 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-60R4-B-T5.pdf | |
![]() | D01608C103C | D01608C103C COILCRAFT COIL | D01608C103C.pdf | |
![]() | GAL2008B | GAL2008B LATTICE DIP | GAL2008B.pdf | |
![]() | 59C11/SN | 59C11/SN MICROCHIP SMD | 59C11/SN.pdf | |
![]() | HD6417760BP200DV | HD6417760BP200DV RENESAS BGA | HD6417760BP200DV.pdf | |
![]() | R18G | R18G NPE SOT-25 | R18G.pdf | |
![]() | 2SC1131 | 2SC1131 ORG TO-3 | 2SC1131.pdf | |
![]() | AT26DF161-SU SL383 | AT26DF161-SU SL383 ATMEL SMD or Through Hole | AT26DF161-SU SL383.pdf | |
![]() | INA111AH/883 | INA111AH/883 BB CAN | INA111AH/883.pdf |