창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPI80N06S208AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2-08 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 58A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 215W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPI80N06S2-08 IPI80N06S2-08-ND SP000218828 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPI80N06S208AKSA1 | |
관련 링크 | IPI80N06S2, IPI80N06S208AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D2R7CXXAC | 2.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R7CXXAC.pdf | |
![]() | AXS-7550-06-05 | SOCKET 6PAD 7.5X5.0 OSCILLATOR | AXS-7550-06-05.pdf | |
![]() | P51-50-A-L-MD-20MA-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Absolute Female - M10 x 1.25 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-50-A-L-MD-20MA-000-000.pdf | |
![]() | XRT5794IJ. | XRT5794IJ. EXAR PLCC | XRT5794IJ..pdf | |
![]() | MCM6264WP55 | MCM6264WP55 MOT DIP | MCM6264WP55.pdf | |
![]() | NAZK330M10V4X6.1NBF | NAZK330M10V4X6.1NBF NICCOMP SMD | NAZK330M10V4X6.1NBF.pdf | |
![]() | M64020FP/FP-A | M64020FP/FP-A ORIGINAL SOP16 | M64020FP/FP-A.pdf | |
![]() | MLG0603P5N1HT | MLG0603P5N1HT TDK SMD or Through Hole | MLG0603P5N1HT.pdf | |
![]() | 641856-1 | 641856-1 AMP con | 641856-1.pdf | |
![]() | TEC1-04712T125 | TEC1-04712T125 ZYGD SMD or Through Hole | TEC1-04712T125.pdf |