창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DN1509K1-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DN1509 | |
| PCN 설계/사양 | Datasheet Update 25/Jun/2015 Datasheet Update 20/Aug/2015 Site Chg 13/Jan/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 공핍 모드 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 200mA, 0V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 490mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74A, SOT-753 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-5 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DN1509K1-G-ND DN1509K1-GTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DN1509K1-G | |
| 관련 링크 | DN1509, DN1509K1-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
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![]() | VS1B2540 | VS1B2540 GS SMD or Through Hole | VS1B2540.pdf | |
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![]() | DCF63206FFN | DCF63206FFN ORIGINAL BGA | DCF63206FFN.pdf | |
![]() | UC3834QG3 | UC3834QG3 TexasInstruments SMD or Through Hole | UC3834QG3.pdf |