창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N4110UR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N4099-4135UR/1N4614-4627UR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 12.15V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AA(유리) | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N4110UR | |
| 관련 링크 | 1N41, 1N4110UR 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MDA-3/4-R | FUSE CERM 750MA 250VAC 3AB 3AG | MDA-3/4-R.pdf | |
![]() | 445A31F24M00000 | 24MHz ±30ppm 수정 24pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A31F24M00000.pdf | |
![]() | RT2512CKB0714R7L | RES SMD 14.7 OHM 0.25% 3/4W 2512 | RT2512CKB0714R7L.pdf | |
![]() | 86C28 | 86C28 JTM SIP2 | 86C28.pdf | |
![]() | LSM670K1-1-0-10 | LSM670K1-1-0-10 ORIGINAL SMD or Through Hole | LSM670K1-1-0-10.pdf | |
![]() | ADM223JRSZ | ADM223JRSZ AD SSOP28 | ADM223JRSZ.pdf | |
![]() | ADG1204 | ADG1204 ADI SMD or Through Hole | ADG1204.pdf | |
![]() | SN74LS253ML1 | SN74LS253ML1 MOT SOP5.2mm | SN74LS253ML1.pdf | |
![]() | XC6119C09ANR-G | XC6119C09ANR-G TOREX SC-82 | XC6119C09ANR-G.pdf | |
![]() | ADLP | ADLP ORIGINAL 5SOT-23 | ADLP.pdf | |
![]() | LA75678M-TRM-E | LA75678M-TRM-E ORIGINAL SMD | LA75678M-TRM-E.pdf | |
![]() | G96-109-A2 | G96-109-A2 NVIDIA BGA | G96-109-A2.pdf |