창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW30NM50N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx30NM50N | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 115m옴 @ 13.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 94nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2740pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-8795-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW30NM50N | |
| 관련 링크 | STW30N, STW30NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
|  | RMCF0603JT110R | RES SMD 110 OHM 5% 1/10W 0603 | RMCF0603JT110R.pdf | |
|  | RCP0505W91R0GS2 | RES SMD 91 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505W91R0GS2.pdf | |
|  | HD614140PA17 | HD614140PA17 HIT DIP42 | HD614140PA17.pdf | |
|  | MS2V-T1S 32.768KHZ | MS2V-T1S 32.768KHZ MICRO SMD2 | MS2V-T1S 32.768KHZ.pdf | |
|  | 74AHC244PWLE | 74AHC244PWLE TI TSSOP | 74AHC244PWLE.pdf | |
|  | S1V5Z130B | S1V5Z130B ARTESYN SMD or Through Hole | S1V5Z130B.pdf | |
|  | 1206YD105KAT1A | 1206YD105KAT1A AVX SMD or Through Hole | 1206YD105KAT1A.pdf | |
|  | DS1235ABW-120 | DS1235ABW-120 DALLAS DIP | DS1235ABW-120.pdf | |
|  | 84060-0010 | 84060-0010 FCI con | 84060-0010.pdf | |
|  | MB410-A | MB410-A FUJ CDIP14 | MB410-A.pdf | |
|  | NSBC114XDXV6T1G | NSBC114XDXV6T1G ON SOT-563 | NSBC114XDXV6T1G.pdf | |
|  | 16V220000UF | 16V220000UF HITACHI DIP | 16V220000UF.pdf |