창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW30NM50N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx30NM50N | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 115m옴 @ 13.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 94nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2740pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-8795-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW30NM50N | |
| 관련 링크 | STW30N, STW30NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 445A23L12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 12pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A23L12M00000.pdf | |
![]() | HRG3216P-2002-D-T1 | RES SMD 20K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-2002-D-T1.pdf | |
![]() | RGC0805FTC698K | RES SMD 698K OHM 1% 1/8W 0805 | RGC0805FTC698K.pdf | |
![]() | CW010909R0JE73 | RES 909 OHM 13W 5% AXIAL | CW010909R0JE73.pdf | |
![]() | 1330A08860 | 1330A08860 PHILIPS SSOP | 1330A08860.pdf | |
![]() | 5264165FTT-A60 | 5264165FTT-A60 ELPIDA TSOP54 | 5264165FTT-A60.pdf | |
![]() | FDC20-48S33 | FDC20-48S33 POWERMATE ORIGINAL | FDC20-48S33.pdf | |
![]() | PLDM7-1.5 | PLDM7-1.5 RhombusII DIP8 | PLDM7-1.5.pdf | |
![]() | SI3220-G-GQR | SI3220-G-GQR SILICON TQFP64 | SI3220-G-GQR.pdf | |
![]() | 25.626.0453.0 | 25.626.0453.0 WIELANDELECTRIC ORIGINAL | 25.626.0453.0.pdf | |
![]() | LX974BHC | LX974BHC LXT QFP | LX974BHC.pdf | |
![]() | 29F8008A-70PFTN | 29F8008A-70PFTN FUJITSU TSOP | 29F8008A-70PFTN.pdf |