창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B41252C3229M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B41252 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B41252 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 22000µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 10V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 3.38A @ 120Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 1.181" Dia(30.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.063"(27.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
| 표준 포장 | 160 | |
| 다른 이름 | B41252C3229M000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B41252C3229M | |
| 관련 링크 | B41252C, B41252C3229M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | MKT1817333255D | 0.033µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | MKT1817333255D.pdf | |
![]() | 0230.250MXP | FUSE GLASS 250MA 250VAC 125VDC | 0230.250MXP.pdf | |
![]() | MPLAD6.5KP36AE3 | TVS DIODE 36VWM 58.1VC PLAD | MPLAD6.5KP36AE3.pdf | |
![]() | TEP474K035SCS | TEP474K035SCS AVX DIP | TEP474K035SCS.pdf | |
![]() | 54F151L1MQB | 54F151L1MQB NSC PLCC20 | 54F151L1MQB.pdf | |
![]() | PR8268C-C51 | PR8268C-C51 ORIGINAL DIP | PR8268C-C51.pdf | |
![]() | QMV738DF5 | QMV738DF5 SYNERGY QFP | QMV738DF5.pdf | |
![]() | B57045K0473K000 | B57045K0473K000 EPCOS SMD or Through Hole | B57045K0473K000.pdf | |
![]() | vte1013h | vte1013h exe SMD or Through Hole | vte1013h.pdf | |
![]() | GEFORCE GTS150 1GB DDR3 ATX | GEFORCE GTS150 1GB DDR3 ATX NVIDIAGEFORCE SMD or Through Hole | GEFORCE GTS150 1GB DDR3 ATX.pdf | |
![]() | HY510N | HY510N hy DIP-8 | HY510N.pdf | |
![]() | V375C12E75B3 | V375C12E75B3 VICOR SMD or Through Hole | V375C12E75B3.pdf |