창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM50UM09FAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM50UM09FAG Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1630 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 497A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 248.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 30mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 63300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 5000W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP6 | |
| 공급 장치 패키지 | SP6 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APTM50UM09FAGMI APTM50UM09FAGMI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM50UM09FAG | |
| 관련 링크 | APTM50U, APTM50UM09FAG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | LC80 | TVS DIODE 80VWM 142VC DO202AA | LC80.pdf | |
![]() | GX-H6A-P | Inductive Proximity Sensor 0.051" (1.3mm) IP68 Module | GX-H6A-P.pdf | |
![]() | URAM2CG1 | URAM2CG1 VICOR SMD or Through Hole | URAM2CG1.pdf | |
![]() | TSOP5321 | TSOP5321 VISHAY SMD or Through Hole | TSOP5321.pdf | |
![]() | IDT71016S-10YI | IDT71016S-10YI IDT SOJ | IDT71016S-10YI.pdf | |
![]() | DS4E-SL2-DC48V | DS4E-SL2-DC48V ORIGINAL DIP | DS4E-SL2-DC48V.pdf | |
![]() | FN3300055 | FN3300055 ORIGINAL SMD or Through Hole | FN3300055.pdf | |
![]() | 2725T/133MHZ | 2725T/133MHZ | 2725T/133MHZ | |
![]() | LS-BTVP-FEN | LS-BTVP-FEN SMD SMD or Through Hole | LS-BTVP-FEN.pdf | |
![]() | MLF1608DR82J | MLF1608DR82J TDK SMD or Through Hole | MLF1608DR82J.pdf | |
![]() | LTFFW | LTFFW ORIGINAL SMD | LTFFW.pdf |