창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5926APE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5926APE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5926APE, 1N5926APE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| -Kemet.jpg) | C1206C100D2GACTU | 10pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C100D2GACTU.pdf | |
| -25.jpg) | C3225X8R2A684M250AE | 0.68µF 100V 세라믹 커패시터 X8R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C3225X8R2A684M250AE.pdf | |
| .jpg) | CRCW0603220RJNEA | RES SMD 220 OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW0603220RJNEA.pdf | |
|  | 4610X-101-822LF | RES ARRAY 9 RES 8.2K OHM 10SIP | 4610X-101-822LF.pdf | |
|  | HSDL-3201#901 | HSDL-3201#901 AGILENT SMD | HSDL-3201#901.pdf | |
|  | TS372C | TS372C ST SO-8 | TS372C.pdf | |
|  | HD32DN040 | HD32DN040 HITACHI SOP | HD32DN040.pdf | |
|  | PST73128 | PST73128 PST SOT23-5 | PST73128.pdf | |
|  | 91790100 | 91790100 AMP SMD or Through Hole | 91790100.pdf | |
|  | JG00155NL | JG00155NL PUL CONN | JG00155NL.pdf | |
|  | M57736L | M57736L NS NULL | M57736L.pdf | |
|  | LXT381LEB4 | LXT381LEB4 INTEL QFP | LXT381LEB4.pdf |