창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ZXTN25020DZTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ZXTN25020DZ | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1459 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 6A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 270mV @ 300mA, 6A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V | |
전력 - 최대 | 2.4W | |
주파수 - 트랜지션 | 215MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-243AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-89-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | ZXTN25020DZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ZXTN25020DZTA | |
관련 링크 | ZXTN250, ZXTN25020DZTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | LLL153C80J224ME14E | 0.22µF 6.3V 세라믹 커패시터 X6S 0204(0510 미터법) 0.020" L x 0.039" W(0.50mm x 1.00mm) | LLL153C80J224ME14E.pdf | |
![]() | C0603C750F3GACTU | 75pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C750F3GACTU.pdf | |
![]() | H814RDCA | RES 14.0 OHM 1/4W 0.5% AXIAL | H814RDCA.pdf | |
![]() | F9309 | F9309 F DIP | F9309.pdf | |
![]() | AC82P45 SLB7Z | AC82P45 SLB7Z INTEL BGA | AC82P45 SLB7Z.pdf | |
![]() | 103653-9 | 103653-9 TYCO ROHS | 103653-9.pdf | |
![]() | SIR-320ST | SIR-320ST ROHM DIP | SIR-320ST.pdf | |
![]() | XC17128DDM | XC17128DDM XILINX DIP8 | XC17128DDM.pdf | |
![]() | FAIL4Z | FAIL4Z NEC SOT-23 | FAIL4Z.pdf | |
![]() | VZ10D271K | VZ10D271K VZ SMD or Through Hole | VZ10D271K.pdf | |
![]() | MB89F053PF-GE1 | MB89F053PF-GE1 FUJITSU QFP-100 | MB89F053PF-GE1.pdf | |
![]() | 3186GH562T400APA1 | 3186GH562T400APA1 CDE DIP | 3186GH562T400APA1.pdf |