Diodes Incorporated ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA
제조업체 부품 번호
ZXMN2F30FHTA
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
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내부 부품 번호EIS-ZXMN2F30FHTA
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서ZXMN2F30FH
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
PCN 조립/원산지Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
카탈로그 페이지 1467 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 2.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.1A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs45m옴 @ 2.5A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs4.8nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds452pF @ 10V
전력 - 최대960mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3
표준 포장 3,000
다른 이름ZXMN2F30FHTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)ZXMN2F30FHTA
관련 링크ZXMN2F3, ZXMN2F30FHTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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