Diodes Incorporated ZXMN10A11K

ZXMN10A11K
제조업체 부품 번호
ZXMN10A11K
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
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내부 부품 번호EIS-ZXMN10A11K
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서ZXMN10A11K
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장컷 테이프(CT)
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.4A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs350m옴 @ 2.6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs5.4nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds274pF @ 50V
전력 - 최대2.11W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252-3
표준 포장 1
다른 이름1034-ZXMN10A11KCT
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)ZXMN10A11K
관련 링크ZXMN10, ZXMN10A11K 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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