창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ZVN4424A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ZVN4424A | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1470 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 240V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 260mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 750mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | ZVN4424A | |
| 관련 링크 | ZVN4, ZVN4424A 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 06033U1R9CAT2A | 1.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06033U1R9CAT2A.pdf | |
![]() | EB8R | EB8R ORIGINAL SOT153 | EB8R.pdf | |
![]() | J10ET250LA | J10ET250LA TOKO SMD or Through Hole | J10ET250LA.pdf | |
![]() | MBB100GS12A | MBB100GS12A HITACHI IGBT | MBB100GS12A.pdf | |
![]() | KSC1623-RTK | KSC1623-RTK KEC SOT23 | KSC1623-RTK.pdf | |
![]() | TE28F800-B3B90 | TE28F800-B3B90 INTEL SSOP | TE28F800-B3B90.pdf | |
![]() | PMB5701A | PMB5701A INFINEON SMD or Through Hole | PMB5701A.pdf | |
![]() | ZTK33A | ZTK33A ITT SMD or Through Hole | ZTK33A.pdf | |
![]() | SR660-6 | SR660-6 LAMBDA SMD or Through Hole | SR660-6.pdf | |
![]() | 1100451-000 | 1100451-000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1100451-000.pdf | |
![]() | SGA4563 TEL:82766440 | SGA4563 TEL:82766440 Sirenza SMD or Through Hole | SGA4563 TEL:82766440.pdf | |
![]() | MM57140NAT/N | MM57140NAT/N NSC DIP28 | MM57140NAT/N.pdf |