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Diodes Incorporated ZVN2110GTA

ZVN2110GTA
제조업체 부품 번호
ZVN2110GTA
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
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내부 부품 번호EIS-ZVN2110GTA
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서ZVN2110G
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Date Code Mark Update 13/Jan/2015
카탈로그 페이지 1469 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C500mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4옴 @ 1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds75pF @ 25V
전력 - 최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-261-4, TO-261AA
공급 장치 패키지SOT-223
표준 포장 1,000
다른 이름ZVN2110GTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)ZVN2110GTA
관련 링크ZVN211, ZVN2110GTA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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