창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VT6Z1T2R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VT6Z1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN, PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 400MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD | |
| 공급 장치 패키지 | VMT6 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VT6Z1T2R | |
| 관련 링크 | VT6Z, VT6Z1T2R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AD691JN | AD691JN ADI DIP16 | AD691JN.pdf | |
![]() | CMJ145 | CMJ145 CITIZE 32.768KHZ | CMJ145.pdf | |
![]() | CM3015-18SO | CM3015-18SO CMD SMD or Through Hole | CM3015-18SO.pdf | |
![]() | LT1132ACSE | LT1132ACSE LINEAR SMD | LT1132ACSE.pdf | |
![]() | CBT3125DS,118 | CBT3125DS,118 NXP SOT519 | CBT3125DS,118.pdf | |
![]() | GC30E-2P1J | GC30E-2P1J MW SMD or Through Hole | GC30E-2P1J.pdf | |
![]() | 100336DMQB. | 100336DMQB. NationalSemiconductor SMD or Through Hole | 100336DMQB..pdf | |
![]() | TDA4429 | TDA4429 TFK DIP18 | TDA4429.pdf | |
![]() | DEC018L | DEC018L ORIGINAL DIP | DEC018L.pdf | |
![]() | 2W10V | 2W10V FAGOR SMD DIP | 2W10V.pdf | |
![]() | TR3C476M016E0300 | TR3C476M016E0300 VISHAY SMD | TR3C476M016E0300.pdf | |
![]() | S80840CNNBB8ZT2 | S80840CNNBB8ZT2 SEIKO SMD or Through Hole | S80840CNNBB8ZT2.pdf |