창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VS-10ETF10STRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VS-10ETF1xSPbF Series | |
| PCN 기타 | DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1000V(1kV) | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 10A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.33V @ 10A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 310ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 1000V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB(D²PAK) | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | VS10ETF10STRLPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VS-10ETF10STRLPBF | |
| 관련 링크 | VS-10ETF10, VS-10ETF10STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | DF2B36FU,H3F | TVS DIODE 28VWM 40VC USC | DF2B36FU,H3F.pdf | |
![]() | HT3012-TQ | HT3012-TQ SMAR TQFP144 | HT3012-TQ.pdf | |
![]() | PSD612E1-90JI | PSD612E1-90JI WSI PLCC52 | PSD612E1-90JI.pdf | |
![]() | NM2200C-A/256 | NM2200C-A/256 NM BGA | NM2200C-A/256.pdf | |
![]() | IRFZ024NPBF | IRFZ024NPBF IOR TO-220 | IRFZ024NPBF.pdf | |
![]() | 1775013-3 | 1775013-3 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 1775013-3.pdf | |
![]() | NEM-3225-470J | NEM-3225-470J NANO ChipCoil | NEM-3225-470J.pdf | |
![]() | MC1,5/3-G-3,5 | MC1,5/3-G-3,5 PHOENIXCONTACT ORIGINAL | MC1,5/3-G-3,5.pdf | |
![]() | TC58C128 | TC58C128 TOSHIBA TSOP | TC58C128.pdf | |
![]() | UFB200 | UFB200 VISHAY DIP | UFB200.pdf | |
![]() | LT1996AIDD | LT1996AIDD LT SMD or Through Hole | LT1996AIDD.pdf | |
![]() | R0103CA | R0103CA ORIGINAL TO-92 | R0103CA.pdf |