창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VS-10ETF02-M3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VS-10ETF0x(PBF,-M3) | |
| PCN 기타 | DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 10A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 10A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 200ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 200V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-2 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AC | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | VS10ETF02M3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VS-10ETF02-M3 | |
| 관련 링크 | VS-10ET, VS-10ETF02-M3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | AS12J1R00ET | RES SMD 1 OHM 5% 1/2W 1206 | AS12J1R00ET.pdf | |
![]() | RGM219R60J106KE19D | RGM219R60J106KE19D ORIGINAL SMD or Through Hole | RGM219R60J106KE19D.pdf | |
![]() | UPD71071D | UPD71071D NEC DIP48 | UPD71071D.pdf | |
![]() | 306753559 | 306753559 NS SOP8 | 306753559.pdf | |
![]() | A08701 | A08701 AO TSSOP8 | A08701.pdf | |
![]() | SMAT21P175 | SMAT21P175 sonitron SMD or Through Hole | SMAT21P175.pdf | |
![]() | VSC8121QI | VSC8121QI VITESSE SMD or Through Hole | VSC8121QI.pdf | |
![]() | M1224 097 | M1224 097 N/A SMD or Through Hole | M1224 097.pdf | |
![]() | CS6600-180 | CS6600-180 ORIGINAL BGA | CS6600-180.pdf | |
![]() | N10P-GE | N10P-GE ORIGINAL SMD or Through Hole | N10P-GE.pdf | |
![]() | LDB200-024SW | LDB200-024SW Excelsys SMD or Through Hole | LDB200-024SW.pdf |