창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VQ1001P-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VQ1001J/P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | * | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 830mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.75옴 @ 200mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 110pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VQ1001P-E3 | |
| 관련 링크 | VQ1001, VQ1001P-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | HRG3216P-6490-D-T1 | RES SMD 649 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-6490-D-T1.pdf | |
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![]() | 11A3 | 11A3 ST/ DIPSMD | 11A3.pdf | |
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