창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VO617A-2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VO617A | |
종류 | 절연기 | |
제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Opto Division | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | * | |
채널 개수 | 1 | |
전압 - 분리 | 5300Vrms | |
전류 전달비(최소) | 63% @ 5mA | |
전류 전달비(최대) | 125% @ 5mA | |
턴온/턴오프(통상) | 3µs, 2.3µs | |
상승/하강 시간(통상) | 2µs, 2µs | |
입력 유형 | DC | |
출력 유형 | 트랜지스터 | |
전압 - 출력(최대) | 80V | |
전류 - 출력/채널 | 50mA | |
전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.35V | |
전류 - DC 순방향(If) | 60mA | |
Vce 포화(최대) | 400mV | |
작동 온도 | -55°C ~ 110°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | |
공급 장치 패키지 | 4-DIP | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | VO617A2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VO617A-2 | |
관련 링크 | VO61, VO617A-2 데이터 시트, Vishay Semiconductor Opto Division 에이전트 유통 |
![]() | GRM0335C1HR70BA01D | 0.70pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1HR70BA01D.pdf | |
![]() | GSXD100A006S1-D3 | DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227 | GSXD100A006S1-D3.pdf | |
![]() | PA4342.682NLT | 6.8µH Shielded Molded Inductor 8.5A 23.3 mOhm Max Nonstandard | PA4342.682NLT.pdf | |
![]() | TNPU08058K06BZEN00 | RES SMD 8.06K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPU08058K06BZEN00.pdf | |
![]() | TNPW201078R7BETF | RES SMD 78.7 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201078R7BETF.pdf | |
![]() | CDV19FF241J03F | CDV19FF241J03F CDE SMD or Through Hole | CDV19FF241J03F.pdf | |
![]() | REF01QJ | REF01QJ PMI CAN8 | REF01QJ.pdf | |
![]() | GEFORCEEMP-NPB | GEFORCEEMP-NPB NVIDIA BGA | GEFORCEEMP-NPB.pdf | |
![]() | 06117101301(RS) | 06117101301(RS) VARTA SMD or Through Hole | 06117101301(RS).pdf | |
![]() | MB81C1001A70PSZ | MB81C1001A70PSZ FUJITSU SMD or Through Hole | MB81C1001A70PSZ.pdf | |
![]() | TPA0222PWP | TPA0222PWP TIS Call | TPA0222PWP.pdf | |
![]() | HYCOSEEOMFI P-6S S/HOE | HYCOSEEOMFI P-6S S/HOE Hynix SMD or Through Hole | HYCOSEEOMFI P-6S S/HOE.pdf |