창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VLZ4V3B-GS18 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VLZ Series | |
| PCN 단종/ EOL | EOL 21/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-80 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-80 QuadroMELF | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VLZ4V3B-GS18 | |
| 관련 링크 | VLZ4V3B, VLZ4V3B-GS18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C3225X6S0J107M250AC | 100µF 6.3V 세라믹 커패시터 X6S 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C3225X6S0J107M250AC.pdf | |
![]() | 18251A333KATM6 | 0.033µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 18251A333KATM6.pdf | |
![]() | CB3-3C-5M0000 | 5MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 25mA Enable/Disable | CB3-3C-5M0000.pdf | |
![]() | AD5453EBZ | AD5453EBZ ADI SMD or Through Hole | AD5453EBZ.pdf | |
![]() | MC74HC14DR2 | MC74HC14DR2 ON 3.9MM | MC74HC14DR2.pdf | |
![]() | SAB-C164CI-25M | SAB-C164CI-25M INFINEON SMD or Through Hole | SAB-C164CI-25M.pdf | |
![]() | SUB85N06-05 | SUB85N06-05 VISHAY SMD or Through Hole | SUB85N06-05.pdf | |
![]() | S3F8419XZZ-QZ89 | S3F8419XZZ-QZ89 SAMSUNG SMD or Through Hole | S3F8419XZZ-QZ89.pdf | |
![]() | MB86H20BPMT-G-BNDE1 | MB86H20BPMT-G-BNDE1 FUJISTU QFP | MB86H20BPMT-G-BNDE1.pdf | |
![]() | HDSP-4850(H) | HDSP-4850(H) HEWLETTPACKARD ORIGINAL | HDSP-4850(H).pdf | |
![]() | P74PCT245PC | P74PCT245PC PER/IDT DIP | P74PCT245PC.pdf | |
![]() | SCN68562 | SCN68562 PHILIPS PLCC52 | SCN68562.pdf |