창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VLZ36B-GS18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VLZ Series | |
PCN 단종/ EOL | EOL 21/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33.64V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 75옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 40µA @ 31.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-80 변형 | |
공급 장치 패키지 | SOD-80 QuadroMELF | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VLZ36B-GS18 | |
관련 링크 | VLZ36B, VLZ36B-GS18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
APTM100A13SG | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | APTM100A13SG.pdf | ||
ADC081S021CIMF/NOPB | ADC081S021CIMF/NOPB NS 8BIT1CH50-200KSPS | ADC081S021CIMF/NOPB.pdf | ||
LTC3010EMS8E#TRPBF | LTC3010EMS8E#TRPBF LT MSOP8 | LTC3010EMS8E#TRPBF.pdf | ||
MAX5392 | MAX5392 NULL NULL | MAX5392.pdf | ||
MX25L4005M | MX25L4005M MX SOP8 | MX25L4005M.pdf | ||
2SD2118-TL-Q | 2SD2118-TL-Q ROHM TO-252 | 2SD2118-TL-Q.pdf | ||
CAP106FNVR | CAP106FNVR RADIAL SMD or Through Hole | CAP106FNVR.pdf | ||
AV250-D | AV250-D RESPower SMD or Through Hole | AV250-D.pdf | ||
2SC4116-Y(T5LND) | 2SC4116-Y(T5LND) TOSHIBA SOT-323 | 2SC4116-Y(T5LND).pdf | ||
UDD8616A8A-5BG | UDD8616A8A-5BG ORIGINAL SMD or Through Hole | UDD8616A8A-5BG.pdf | ||
KM732V589615 | KM732V589615 SAMSUNG SMD or Through Hole | KM732V589615.pdf |