창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VJ0805D2R2DLBAP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VJ Series, HIFREQ | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Vishay Vitramon | |
계열 | VJ HIFREQ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 2.2pF | |
허용 오차 | ±0.5pF | |
전압 - 정격 | 100V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.057"(1.45mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VJ0805D2R2DLBAP | |
관련 링크 | VJ0805D2R, VJ0805D2R2DLBAP 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | HGTG30N60B3D | IGBT 600V 60A 208W TO247 | HGTG30N60B3D.pdf | |
![]() | DRQ74-220-R | Shielded 2 Coil Inductor Array 86.92µH Inductance - Connected in Series 21.73µH Inductance - Connected in Parallel 92.5 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 1.75A Nonstandard | DRQ74-220-R.pdf | |
![]() | CW01091R00KE12 | RES 91 OHM 13W 10% AXIAL | CW01091R00KE12.pdf | |
![]() | HZ5A2 ST | HZ5A2 ST ST DO-35 | HZ5A2 ST.pdf | |
![]() | TDA4863AJ/V1,112 | TDA4863AJ/V1,112 NXP LINEAR IC | TDA4863AJ/V1,112.pdf | |
![]() | J432D-26WM | J432D-26WM MIT QFN | J432D-26WM.pdf | |
![]() | B10B-ZR-SM4-TFT | B10B-ZR-SM4-TFT JST/ROHS SMD10 | B10B-ZR-SM4-TFT.pdf | |
![]() | TRF250-080T-2 | TRF250-080T-2 Raychem/TYCO 250V-80MA | TRF250-080T-2.pdf | |
![]() | 1734390-3 | 1734390-3 TYCO SMD or Through Hole | 1734390-3.pdf | |
![]() | MCR-770T-1R-0101 | MCR-770T-1R-0101 NEURONCORPORATION SMD or Through Hole | MCR-770T-1R-0101.pdf | |
![]() | TFDT/TFDS6000 | TFDT/TFDS6000 ORIGINAL SMD or Through Hole | TFDT/TFDS6000.pdf | |
![]() | XBSP4CH31PQS | XBSP4CH31PQS TI SMD or Through Hole | XBSP4CH31PQS.pdf |