창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VG2618165CT-5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | VG2618165CT-5 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TSOP44 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | VG2618165CT-5 | |
| 관련 링크 | VG26181, VG2618165CT-5 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ECW-H12333JVB | 0.033µF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.394" W (23.00mm x 10.00mm) | ECW-H12333JVB.pdf | |
![]() | 8Q-27.120MAAV-T | 27.12MHz ±30ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Q-27.120MAAV-T.pdf | |
![]() | SIT8008AIF1-18E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Enable/Disable | SIT8008AIF1-18E.pdf | |
![]() | 1N5402-TP | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD | 1N5402-TP.pdf | |
| IRFP22N50APBF | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC | IRFP22N50APBF.pdf | ||
![]() | B59601A0075B062 | B59601A0075B062 EPCOS SMD | B59601A0075B062.pdf | |
![]() | WPT72-12 | WPT72-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | WPT72-12.pdf | |
![]() | AT93C56-10SI1.8 2006/04/25 PH | AT93C56-10SI1.8 2006/04/25 PH PHI SMD or Through Hole | AT93C56-10SI1.8 2006/04/25 PH.pdf | |
![]() | D25S13B6UA00 | D25S13B6UA00 FCI con | D25S13B6UA00.pdf | |
![]() | SN75108ACDR | SN75108ACDR TI SOP | SN75108ACDR.pdf | |
![]() | GB-IL60W | GB-IL60W ORIGINAL SMD or Through Hole | GB-IL60W.pdf | |
![]() | TK68112S2GOG | TK68112S2GOG TOKO SMD or Through Hole | TK68112S2GOG.pdf |