창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VDZT2R5.6B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | VDZ5.6B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 100mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | VMD2 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | VDZT2R5.6B-ND VDZT2R5.6BTR VDZT2R56B | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | VDZT2R5.6B | |
관련 링크 | VDZT2R, VDZT2R5.6B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
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WSK1206R0460FEA | RES SMD 0.046 OHM 1% 1/4W 1206 | WSK1206R0460FEA.pdf | ||
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![]() | AP50AAII | AP50AAII ST QFP | AP50AAII.pdf | |
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![]() | TEA1530AP/N2 | TEA1530AP/N2 NXP SMD or Through Hole | TEA1530AP/N2.pdf | |
![]() | M5 88518 | M5 88518 PHI QFP44 | M5 88518.pdf | |
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