창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UTT1H220MDD | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UTT Series | |
| 카탈로그 페이지 | 1970 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Nichicon | |
| 계열 | UTT | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 22µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 50V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 5000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 분극 | - | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 112mA | |
| 임피던스 | 2.4옴 | |
| 리드 간격 | 0.098"(2.50mm) | |
| 크기/치수 | 0.248" Dia(6.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.354"(9.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 다른 이름 | 493-3282 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UTT1H220MDD | |
| 관련 링크 | UTT1H2, UTT1H220MDD 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 | |
![]() | MKP1841233135M | 3300pF Film Capacitor 650V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.217" W (18.00mm x 5.50mm) | MKP1841233135M.pdf | |
![]() | SIT1602AC-73-30S-12.000000E | OSC XO 3.0V 12MHZ ST | SIT1602AC-73-30S-12.000000E.pdf | |
| MRF158 | FET RF 65V 500MHZ 305A-01 | MRF158.pdf | ||
![]() | QM200HH-2H | QM200HH-2H MITSUBISHI SMD or Through Hole | QM200HH-2H.pdf | |
![]() | B02657 | B02657 ST SOP28 | B02657.pdf | |
![]() | CKCM25COG1H220KT019N | CKCM25COG1H220KT019N TDK SMD or Through Hole | CKCM25COG1H220KT019N.pdf | |
![]() | 256P30F | 256P30F INTEL BGA | 256P30F.pdf | |
![]() | VJ1206Y103MXAMT | VJ1206Y103MXAMT ORIGINAL SMD or Through Hole | VJ1206Y103MXAMT.pdf | |
![]() | LTA702NT/N1 | LTA702NT/N1 NXP SMD or Through Hole | LTA702NT/N1.pdf | |
![]() | MN5130 | MN5130 MN SMD or Through Hole | MN5130.pdf | |
![]() | K4D263238F-QC50 4m32 ddr | K4D263238F-QC50 4m32 ddr SAM QFP100 | K4D263238F-QC50 4m32 ddr.pdf | |
![]() | NRWP471M25V8X11.5F | NRWP471M25V8X11.5F NIC DIP | NRWP471M25V8X11.5F.pdf |