창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-USR0G221MDD | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | USA, USR Series Lead Type Taping Spec | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Nichicon | |
계열 | USR | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 220µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 4V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 110mA @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.098"(2.50mm) | |
크기/치수 | 0.248" Dia(6.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.315"(8.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | USR0G221MDD | |
관련 링크 | USR0G2, USR0G221MDD 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 |
![]() | STW56N65M2 | MOSFET N-CH 650V 49A TO247 | STW56N65M2.pdf | |
![]() | IRAMS10UP60C-2 | IRAMS10UP60C-2 IR SMD or Through Hole | IRAMS10UP60C-2.pdf | |
![]() | G7L-2A-BUBJAC24 | G7L-2A-BUBJAC24 OMRON SMD or Through Hole | G7L-2A-BUBJAC24.pdf | |
![]() | 0805F4R30 | 0805F4R30 ORIGINAL 200k | 0805F4R30.pdf | |
![]() | SMD653-1.8ECT | SMD653-1.8ECT SMD SOT-23 | SMD653-1.8ECT.pdf | |
![]() | LTV-827T | LTV-827T LITEON SOP | LTV-827T.pdf | |
![]() | 50038-8000 | 50038-8000 MOLEX SMD or Through Hole | 50038-8000.pdf | |
![]() | NLC1812-5R6KTR | NLC1812-5R6KTR TDK SMD or Through Hole | NLC1812-5R6KTR.pdf | |
![]() | KA5Q12656RTYDTU | KA5Q12656RTYDTU ORIGINAL TO-220F | KA5Q12656RTYDTU.pdf | |
![]() | ECS-103A 60.000MHZ | ECS-103A 60.000MHZ ECS DIP-4 | ECS-103A 60.000MHZ.pdf |