Nichicon USL1E470MDD
USL1E470MDD 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 174.33214
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 USL1E470MDD 재고가 있습니다. 우리는 Nichicon 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Nichicon 전자 부품 전문. USL1E470MDD 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. USL1E470MDD가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- USL1E470MDD 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
USL1E470MDD 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-USL1E470MDD | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SL Series, U Type Chip Type Tape Spec Aluminum Electrolytic Land, Reflow | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | Nichicon | |
| 계열 | SL | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 47µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 25V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 수명 @ 온도 | 1000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 78mA @ 120Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 0.138"(3.50mm) | |
| 크기/치수 | 0.315" Dia(8.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.315"(8.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | USL1E470MDD | |
| 관련 링크 | USL1E4, USL1E470MDD 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 | |
USL1E470MDD 의 관련 제품
 | LLS2D681MELB | 680µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C | LLS2D681MELB.pdf | |
 | P1101DF-1E | SIDACTOR SLIC ENHC 95V 30A 8SOIC | P1101DF-1E.pdf | |
 | MMSZ5232B-7-F | DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123 | MMSZ5232B-7-F.pdf | |
.jpg) | RCS080520R0FKEA | RES SMD 20 OHM 1% 0.4W 0805 | RCS080520R0FKEA.pdf | |
 | HY62WT01ED70C | HY62WT01ED70C HYNIX SOP28 | HY62WT01ED70C.pdf | |
| 2SC4177-T1B-L5 | 2SC4177-T1B-L5 NEC SOT-323 | 2SC4177-T1B-L5.pdf | |
| TPS54313PWRG4 | TPS54313PWRG4 TI TSSOP 20 | TPS54313PWRG4.pdf | |
| 74ABT541BDW | 74ABT541BDW TI SO7.2 | 74ABT541BDW.pdf | |
| PZM6.2NB1 | PZM6.2NB1 PHILIPS SMD or Through Hole | PZM6.2NB1.pdf | |
| HS-40Q-B | HS-40Q-B HSE AC-DC | HS-40Q-B.pdf |