창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UPD65022L-176 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | UPD65022L-176 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | PLCC | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | UPD65022L-176 | |
| 관련 링크 | UPD6502, UPD65022L-176 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B32620A6222J189 | 2200pF Film Capacitor 400V 630V Polypropylene (PP), Metallized - Stacked Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | B32620A6222J189.pdf | |
![]() | NA2-N12-C5 | SENSOR PROX 5M NPN 12CH 12-24VDC | NA2-N12-C5.pdf | |
![]() | T1210NH | T1210NH ST TO-220 | T1210NH.pdf | |
![]() | SSN54F109J | SSN54F109J TI CDIP | SSN54F109J.pdf | |
![]() | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI Samsung SMD or Through Hole | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI.pdf | |
![]() | Z1SMA200 TRTB | Z1SMA200 TRTB FAGORELECTRONICA SMD or Through Hole | Z1SMA200 TRTB.pdf | |
![]() | IXTP70N10P | IXTP70N10P IXYS TO-220 | IXTP70N10P.pdf | |
![]() | TR3B335K025C2000 | TR3B335K025C2000 VISHAY SMD | TR3B335K025C2000.pdf | |
![]() | 267M2002156K-720 | 267M2002156K-720 MATSUO SMD | 267M2002156K-720.pdf | |
![]() | M7H010-127CM(M7HOIO-127CM) | M7H010-127CM(M7HOIO-127CM) OKI SOP24 | M7H010-127CM(M7HOIO-127CM).pdf | |
![]() | HC49US3.579545MABJ | HC49US3.579545MABJ CITIZEN SMD | HC49US3.579545MABJ.pdf |