- M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI
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- M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI
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- M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI Samsung SMD or Through Hole
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M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI | |
| 관련 링크 | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ , M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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