창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI | |
관련 링크 | M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ , M470T6554GZ3-CE6 (DDR2/ 512M/ 667/ SO-DI 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
F931D225KAA | 2.2µF Molded Tantalum Capacitors 20V 1206 (3216 Metric) 5 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | F931D225KAA.pdf | ||
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