창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UNR52AVG0L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UNR52AVG0L View all Specifications | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| 카탈로그 페이지 | 1485 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 2.2k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 6 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 1.5mA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-85 | |
| 공급 장치 패키지 | S미니3-F2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | UNR52AVG0LTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UNR52AVG0L | |
| 관련 링크 | UNR52A, UNR52AVG0L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | CG75LTR | GDT 75V 20KA THROUGH HOLE | CG75LTR.pdf | |
![]() | CSD18533Q5A | MOSFET N-CH 60V 17A 8SON | CSD18533Q5A.pdf | |
![]() | CB3011220ML | CB3011220ML ABC SMD or Through Hole | CB3011220ML.pdf | |
![]() | HS5157 | HS5157 HITACHI SOT-89 | HS5157.pdf | |
![]() | FEP6DT/G45 | FEP6DT/G45 VISHAY SMD or Through Hole | FEP6DT/G45.pdf | |
![]() | MICRF002BM-0 | MICRF002BM-0 MICREL SOP-16 | MICRF002BM-0.pdf | |
![]() | CSTCE12M0G53-RO | CSTCE12M0G53-RO MURATA SMD or Through Hole | CSTCE12M0G53-RO.pdf | |
![]() | GA1L3N/M32 | GA1L3N/M32 NEC Sot-323 | GA1L3N/M32.pdf | |
![]() | 74ALS00DR | 74ALS00DR TI SMD | 74ALS00DR.pdf | |
![]() | 898AN-1213=P3 | 898AN-1213=P3 TOKO SMD or Through Hole | 898AN-1213=P3.pdf | |
![]() | 7W16900012 | 7W16900012 TXC SMD | 7W16900012.pdf | |
![]() | HB15CKW01-6B-JB | HB15CKW01-6B-JB NKKSwitches SMD or Through Hole | HB15CKW01-6B-JB.pdf |