창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD18533Q5A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD18533Q5A | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD18533Q5A Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.9m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2750pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-35027-2 CSD18533Q5A-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD18533Q5A | |
| 관련 링크 | CSD185, CSD18533Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 3269CUEU | 3269CUEU ORIGINAL SMD or Through Hole | 3269CUEU.pdf | |
![]() | R1LV0416CSB-55SI | R1LV0416CSB-55SI ORIGINAL SMD or Through Hole | R1LV0416CSB-55SI.pdf | |
![]() | STD12NF06-TR | STD12NF06-TR ST TO-252 | STD12NF06-TR.pdf | |
![]() | P1101SAL | P1101SAL Littelfu DO214AA | P1101SAL .pdf | |
![]() | CTM-26R | CTM-26R SanKen TO-220 | CTM-26R.pdf | |
![]() | D23C64040 | D23C64040 NEC TSOP | D23C64040.pdf | |
![]() | BLM21A05PTM0003 | BLM21A05PTM0003 N/A SMD or Through Hole | BLM21A05PTM0003.pdf | |
![]() | ISL55013IEZ | ISL55013IEZ Intersil SC70-6 | ISL55013IEZ.pdf | |
![]() | LTABR | LTABR LT SOT23-8 | LTABR.pdf | |
![]() | BSM400GA120DN2F | BSM400GA120DN2F ORIGINAL SMD or Through Hole | BSM400GA120DN2F.pdf | |
![]() | HA1E470WP | HA1E470WP Panasonic SMD | HA1E470WP.pdf | |
![]() | 2SA1617(B/C) | 2SA1617(B/C) RENESAS/HITACHI SOT-23 | 2SA1617(B/C).pdf |