창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-UMF8NTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | UMF8N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN 사전 바이어싱, 1 NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA, 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V, 15V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | UMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | UMF8NTR | |
| 관련 링크 | UMF8, UMF8NTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AB-4.9152MHZ-B2-T | 4.9152MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | AB-4.9152MHZ-B2-T.pdf | |
![]() | P51-200-S-G-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-S-G-M12-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | BECN1007 | BECN1007 AMPHENOL SMD or Through Hole | BECN1007.pdf | |
![]() | NET2272REV1ABCF | NET2272REV1ABCF ORIGINAL SMD or Through Hole | NET2272REV1ABCF.pdf | |
![]() | AXR51268P | AXR51268P panasonic 26P | AXR51268P.pdf | |
![]() | C1005SL1A392JT | C1005SL1A392JT TDK SMD | C1005SL1A392JT.pdf | |
![]() | CXD1156 | CXD1156 SONY QFP | CXD1156.pdf | |
![]() | 3DD3C | 3DD3C CHINA SMD or Through Hole | 3DD3C.pdf | |
![]() | RN60C2322F | RN60C2322F DALE 23K2 | RN60C2322F.pdf | |
![]() | TIBPAL20R8-7MJTB | TIBPAL20R8-7MJTB TI CDIP24 | TIBPAL20R8-7MJTB.pdf | |
![]() | MD27512A-17/B | MD27512A-17/B INTEL CWDIP | MD27512A-17/B.pdf | |
![]() | NRA335M10R8 | NRA335M10R8 NEC SMD or Through Hole | NRA335M10R8.pdf |