창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-UCY2C151MHD3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | UCY Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Nichicon | |
계열 | UCY | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 150µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 160V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 12000시간(105°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 945mA @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.295"(7.50mm) | |
크기/치수 | 0.630" Dia(16.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.846"(21.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | UCY2C151MHD6 UCY2C151MHD6-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | UCY2C151MHD3 | |
관련 링크 | UCY2C15, UCY2C151MHD3 데이터 시트, Nichicon 에이전트 유통 |
![]() | ESMH251VRT332MB80T | 3300µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 75 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | ESMH251VRT332MB80T.pdf | |
![]() | SR155C104KARTR1 | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR155C104KARTR1.pdf | |
![]() | TM3E476K020HBA | 47µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TM3E476K020HBA.pdf | |
![]() | FD3300020 | 33MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | FD3300020.pdf | |
![]() | BD1722J50100AHF | RF Balun 1.7GHz ~ 2.2GHz 50 / 100 Ohm 0805 (2012 Metric) | BD1722J50100AHF.pdf | |
![]() | ISL29003IR0Z-T7 | ISL29003IR0Z-T7 INTERSIL DFN6 | ISL29003IR0Z-T7.pdf | |
![]() | PM000SS3A | PM000SS3A TycoElectronics/Corcom 3A SINGLE FUSE VERTI | PM000SS3A.pdf | |
![]() | MK18E11192 | MK18E11192 WICHESTER SMD or Through Hole | MK18E11192.pdf | |
![]() | LL-204SD2L-1S | LL-204SD2L-1S Luckylight DIP | LL-204SD2L-1S.pdf | |
![]() | C1206C221J1GAC7800 | C1206C221J1GAC7800 ORIGINAL SMD DIP | C1206C221J1GAC7800.pdf | |
![]() | TMXM407 | TMXM407 ORIGINAL SMD or Through Hole | TMXM407.pdf | |
![]() | PPC403GCX-3BC80C2B | PPC403GCX-3BC80C2B IBM BGA | PPC403GCX-3BC80C2B.pdf |