창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TZQ5225B-GS08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TZQ5221B to TZQ5267B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 29옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-80 변형 | |
공급 장치 패키지 | SOD-80 QuadroMELF | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TZQ5225B-GS08 | |
관련 링크 | TZQ5225, TZQ5225B-GS08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 416F48012CDR | 48MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48012CDR.pdf | |
![]() | OES040ZG | OES040ZG IPD POWERMODULE | OES040ZG.pdf | |
![]() | KDZ6.8EV-Y-RTK | KDZ6.8EV-Y-RTK KEC SOD-523 | KDZ6.8EV-Y-RTK.pdf | |
![]() | UA78M08CDCYRG3 | UA78M08CDCYRG3 TI SMD or Through Hole | UA78M08CDCYRG3.pdf | |
![]() | MAX4333EUB | MAX4333EUB MAXIM MSOP10 | MAX4333EUB.pdf | |
![]() | SA58643DP | SA58643DP NXP SMD or Through Hole | SA58643DP.pdf | |
![]() | MTZJ15-B-T77 | MTZJ15-B-T77 ROHM SMD or Through Hole | MTZJ15-B-T77.pdf | |
![]() | 7C0093NBC | 7C0093NBC ORIGINAL SMD or Through Hole | 7C0093NBC.pdf | |
![]() | EP2C8Q208C8I | EP2C8Q208C8I AT QFP208 | EP2C8Q208C8I.pdf | |
![]() | SPX5205M5-1-5/TR | SPX5205M5-1-5/TR SIPEX SOT23-5 | SPX5205M5-1-5/TR.pdf | |
![]() | XC4VLX6011FF1148I | XC4VLX6011FF1148I Xilinx SOP | XC4VLX6011FF1148I.pdf |