창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-TS5N214PWE4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | TS5N214PWE4 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | TSSOP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | TS5N214PWE4 | |
관련 링크 | TS5N21, TS5N214PWE4 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | IMC1812EB1R2J | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 430mA 550 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812EB1R2J.pdf | |
![]() | RT0402CRE0733R2L | RES SMD 33.2OHM 0.25% 1/16W 0402 | RT0402CRE0733R2L.pdf | |
![]() | LT3022EMSE-1.5#PBF | LT3022EMSE-1.5#PBF LINEAR MSOP-16 | LT3022EMSE-1.5#PBF.pdf | |
![]() | CL233X 100V333K | CL233X 100V333K ORIGINAL SMD or Through Hole | CL233X 100V333K.pdf | |
![]() | W971GG6JB-25 (Winbond 1GBit DDR2) | W971GG6JB-25 (Winbond 1GBit DDR2) WINBOND FBGA84 | W971GG6JB-25 (Winbond 1GBit DDR2).pdf | |
![]() | LX838433CP | LX838433CP LX TO220 | LX838433CP.pdf | |
![]() | TD62S011AFM | TD62S011AFM TOSHIBA SMD or Through Hole | TD62S011AFM.pdf | |
![]() | C023M | C023M ORIGINAL DIP3 | C023M.pdf | |
![]() | D25LR200R155%P5 | D25LR200R155%P5 ORIGINAL SMD or Through Hole | D25LR200R155%P5.pdf | |
![]() | RK73K2ETDJ181 | RK73K2ETDJ181 ORIGINAL SMD or Through Hole | RK73K2ETDJ181.pdf | |
![]() | T59N971V | T59N971V ST QFP | T59N971V.pdf | |
![]() | 70U140 | 70U140 IR SMD or Through Hole | 70U140.pdf |