창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TPN11003NL,LQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TPN11003NL | |
| 주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TPN11003NL,LQ(S TPN11003NLLQTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TPN11003NL,LQ | |
| 관련 링크 | TPN1100, TPN11003NL,LQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | CDRH2D14NP-1R5NC | 1.5µH Shielded Inductor 2A 63 mOhm Max Nonstandard | CDRH2D14NP-1R5NC.pdf | |
![]() | TNPW080545K3BEEA | RES SMD 45.3K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080545K3BEEA.pdf | |
![]() | MB3793-45PF-GT-BND-ER-CS | MB3793-45PF-GT-BND-ER-CS FUJITSU SMD or Through Hole | MB3793-45PF-GT-BND-ER-CS.pdf | |
![]() | 2N5401 T/R | 2N5401 T/R UTC TO92 | 2N5401 T/R.pdf | |
![]() | D448N800 | D448N800 AEG MODULE | D448N800.pdf | |
![]() | AT24C08AN-SU-1.8 | AT24C08AN-SU-1.8 AT SOP | AT24C08AN-SU-1.8.pdf | |
![]() | LDC15874M23Q | LDC15874M23Q MURATA SMD or Through Hole | LDC15874M23Q.pdf | |
![]() | KS0076B | KS0076B SAMSUNG QFP-80P | KS0076B.pdf | |
![]() | AIC2511PM5 | AIC2511PM5 ANALO TO263 | AIC2511PM5.pdf | |
![]() | B13-F0B-13-F | B13-F0B-13-F DIODES DO-214AA | B13-F0B-13-F.pdf | |
![]() | CAT4008Y | CAT4008Y ON SMD or Through Hole | CAT4008Y.pdf |