창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TPH1R204PL,L1Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TPH1R204PL | |
| 주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs 40 V and 45 V Ultra-High-Efficiency MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.24m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 74nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7200pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 960mW | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP Advance | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | TPH1R204PL,L1Q(M TPH1R204PLL1QTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TPH1R204PL,L1Q | |
| 관련 링크 | TPH1R204, TPH1R204PL,L1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 402F2041XIAR | 20.48MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F2041XIAR.pdf | |
![]() | HJ4-T-AC220/240V | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) 240VAC Coil Socketable | HJ4-T-AC220/240V.pdf | |
![]() | FH4-5590 | FH4-5590 LCDCNT QFP | FH4-5590.pdf | |
![]() | Z0-28 | Z0-28 ORIGINAL SMD or Through Hole | Z0-28.pdf | |
![]() | LA71750 | LA71750 SANYO QFP | LA71750 .pdf | |
![]() | 74HCT573D 653 | 74HCT573D 653 PHILIPS SOP | 74HCT573D 653.pdf | |
![]() | BW50EAG-2P | BW50EAG-2P FUJI SMD or Through Hole | BW50EAG-2P.pdf | |
![]() | NSF8HT | NSF8HT GIE TO-220 | NSF8HT.pdf | |
![]() | GRM39B471K50PT | GRM39B471K50PT MUR SMD or Through Hole | GRM39B471K50PT.pdf | |
![]() | 1036-100 | 1036-100 EDSYN SMD or Through Hole | 1036-100.pdf | |
![]() | M35080MN3TR | M35080MN3TR ST SOP8 | M35080MN3TR.pdf |