창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPC8407,LQ(S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPC8407 Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A, 7.4A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 450mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | TPC8407LQ(S TPC8407LQS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPC8407,LQ(S | |
관련 링크 | TPC8407, TPC8407,LQ(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | BZW04-299B-E3/54 | TVS DIODE 299VWM 482VC DO204AL | BZW04-299B-E3/54.pdf | |
![]() | CRGV2512J560K | RES SMD 560K OHM 5% 1W 2512 | CRGV2512J560K.pdf | |
![]() | PHP00603E2002BBT1 | RES SMD 20K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E2002BBT1.pdf | |
![]() | MPC8358ZQAGDDA | MPC8358ZQAGDDA Freescale SMD or Through Hole | MPC8358ZQAGDDA.pdf | |
![]() | AC82PM45 | AC82PM45 INTEL BGA | AC82PM45.pdf | |
![]() | 62276-1 | 62276-1 TYC SMD or Through Hole | 62276-1.pdf | |
![]() | AEC56033E | AEC56033E AEC DIP16 | AEC56033E.pdf | |
![]() | B50612EBOKMLG | B50612EBOKMLG BROADCOM QFN | B50612EBOKMLG.pdf | |
![]() | SG33079 | SG33079 ST SOP | SG33079.pdf | |
![]() | IRKJ166-06 | IRKJ166-06 IR SMD or Through Hole | IRKJ166-06.pdf | |
![]() | FBR621D005 | FBR621D005 FUJITSU/ SMD or Through Hole | FBR621D005.pdf | |
![]() | NT511740BSJ60 | NT511740BSJ60 NAN SOJ OB | NT511740BSJ60.pdf |