창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFU5505PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR5505PbF, IRFU5505PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 9.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 57W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRFU5505PBF SP001557786 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFU5505PBF | |
| 관련 링크 | IRFU55, IRFU5505PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602AC-71-33S-30.000000D | OSC XO 3.3V 30MHZ ST | SIT1602AC-71-33S-30.000000D.pdf | |
![]() | SK8603180L | MOSFET N-CH 30V 15A 8HSO | SK8603180L.pdf | |
![]() | PE2512FKE7W0R007L | RES SMD 0.007 OHM 1% 2W 2512 | PE2512FKE7W0R007L.pdf | |
![]() | Y006270K0000T9L | RES 70K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y006270K0000T9L.pdf | |
![]() | SN76623NB | SN76623NB TI DIP | SN76623NB.pdf | |
![]() | WN5001010 | WN5001010 ORIGINAL SMD or Through Hole | WN5001010.pdf | |
![]() | 2SA1765 | 2SA1765 SANYO TO92S | 2SA1765.pdf | |
![]() | U5020M-MFPG3Y | U5020M-MFPG3Y ATMEL SOP-16 | U5020M-MFPG3Y.pdf | |
![]() | HBLXT9761HC.B2835066 | HBLXT9761HC.B2835066 INTEL SMD or Through Hole | HBLXT9761HC.B2835066.pdf | |
![]() | CN2A2TE391J | CN2A2TE391J ORIGINAL SMD or Through Hole | CN2A2TE391J.pdf |