창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPC8062-H,LQ(CM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TPC8062-H Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 300µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 10V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TPC8062-HLQ(CM TPC8062HLQCM | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TPC8062-H,LQ(CM | |
관련 링크 | TPC8062-H, TPC8062-H,LQ(CM 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
R7011004XXUA | DIODE GEN PURP 1KV 450A DO200 | R7011004XXUA.pdf | ||
KAL50FB35R0 | RES CHAS MNT 35 OHM 1% 50W | KAL50FB35R0.pdf | ||
CPF0805B169KE1 | RES SMD 169K OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B169KE1.pdf | ||
MF20139H | MF20139H DS PLCC-44 | MF20139H.pdf | ||
0805 035 I | 0805 035 I LF SMD or Through Hole | 0805 035 I.pdf | ||
LM269-12 | LM269-12 ON SOT-223 | LM269-12.pdf | ||
UD10DCT | UD10DCT VISHAY TO-220 | UD10DCT.pdf | ||
ST62C6 | ST62C6 ST SOP16 | ST62C6.pdf | ||
3374X-1-502X | 3374X-1-502X ORIGINAL SMD or Through Hole | 3374X-1-502X.pdf | ||
l-53src-c | l-53src-c kbe SMD or Through Hole | l-53src-c.pdf |