창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TP2640LG-G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TP2640 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014 Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Assembly Site Addition 17/Feb/2015 Fab Site Addition 14/Aug/2014 | |
| PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 86mA(Tj) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15옴 @ 300mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 740mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 표준 포장 | 3,300 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TP2640LG-G | |
| 관련 링크 | TP2640, TP2640LG-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
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![]() | SBT-0210T | SBT-0210T NEC/TOKIN DIP | SBT-0210T.pdf | |
![]() | 18125A362FA800J | 18125A362FA800J AVX SMD or Through Hole | 18125A362FA800J.pdf | |
![]() | RJZ-0509D/HP | RJZ-0509D/HP RECOM DIP14 | RJZ-0509D/HP.pdf | |
![]() | APT18M80 | APT18M80 APTMICROSEMI TO-247 B | APT18M80.pdf | |
![]() | em91865bpxv | em91865bpxv emc SMD or Through Hole | em91865bpxv.pdf | |
![]() | HM1-546/883 | HM1-546/883 HARRIS DIP28 | HM1-546/883.pdf | |
![]() | MSCDRI-7028F-152M | MSCDRI-7028F-152M MAGLAYER SMD | MSCDRI-7028F-152M.pdf |