창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-B2V7,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52H Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 375mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 83옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123F | |
공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-11138-2 934064778115 BZT52H-B2V7,115-ND BZT52H-B2V7115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52H-B2V7,115 | |
관련 링크 | BZT52H-B2, BZT52H-B2V7,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
CMR04F201GPDM | CMR MICA | CMR04F201GPDM.pdf | ||
BCP53T1 | TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 | BCP53T1.pdf | ||
MCR18ERTF1052 | RES SMD 10.5K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF1052.pdf | ||
Y11235R00000F9L | RES SMD 5 OHM 1% 8W TO220-4 | Y11235R00000F9L.pdf | ||
D4217160G5-80-7JF-E | D4217160G5-80-7JF-E MEMORY SMD | D4217160G5-80-7JF-E.pdf | ||
EP10QY03-G | EP10QY03-G NIEC SOD-123 | EP10QY03-G.pdf | ||
BZM55B5V6-TR LL34-5.6V-3 | BZM55B5V6-TR LL34-5.6V-3 VISHAY SMD or Through Hole | BZM55B5V6-TR LL34-5.6V-3.pdf | ||
QSMA-C282 | QSMA-C282 AVAGO ROHS | QSMA-C282.pdf | ||
30A0228 L-LA4500A2 | 30A0228 L-LA4500A2 LEXMARK BGA | 30A0228 L-LA4500A2.pdf | ||
LP3910SQ-AN/NOPB | LP3910SQ-AN/NOPB NS SMD or Through Hole | LP3910SQ-AN/NOPB.pdf | ||
ECWF4184JL | ECWF4184JL PAN DIP-2 | ECWF4184JL.pdf | ||
CY37064P100-125AC/AI | CY37064P100-125AC/AI N/A NA | CY37064P100-125AC/AI.pdf |