창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TMN626B-D3AP2NAP7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TMN626B-D3AP2NAP7 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TMN626B-D3AP2NAP7 | |
| 관련 링크 | TMN626B-D3, TMN626B-D3AP2NAP7 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GCM1885C2A7R0DA16D | 7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C2A7R0DA16D.pdf | |
![]() | SMBJ51A-13 | TVS DIODE 51VWM 82.4VC SMB | SMBJ51A-13.pdf | |
![]() | MLF2012E8R2MT000 | 8.2µH Shielded Multilayer Inductor 15mA 700 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012E8R2MT000.pdf | |
![]() | CBC2016T3R3M | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 610mA 351 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | CBC2016T3R3M.pdf | |
![]() | CFR-25JR-1R5 | CFR-25JR-1R5 FREESCALE SMD or Through Hole | CFR-25JR-1R5.pdf | |
![]() | FX30KMJ03 | FX30KMJ03 MITSUBISHI TO-220F | FX30KMJ03.pdf | |
![]() | AFFD | AFFD max 5 SOT-23 | AFFD.pdf | |
![]() | B7B-EH-F1-TV4(LF)(SN) | B7B-EH-F1-TV4(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | B7B-EH-F1-TV4(LF)(SN).pdf | |
![]() | NPR1TEF1R10 | NPR1TEF1R10 KOA SMD | NPR1TEF1R10.pdf | |
![]() | CXG1066 | CXG1066 SONY TSSOP20 | CXG1066.pdf | |
![]() | TA8235 | TA8235 TOSHIBA ZIP | TA8235.pdf | |
![]() | L1321771B | L1321771B NA SSOP40 | L1321771B.pdf |