창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TLP292(GR-TPL,E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TLP292 | |
주요제품 | Low Current Input Transistor Optocoupler Series | |
종류 | 절연기 | |
제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
채널 개수 | 1 | |
전압 - 분리 | 3750Vrms | |
전류 전달비(최소) | 100% @ 5mA | |
전류 전달비(최대) | 300% @ 5mA | |
턴온/턴오프(통상) | 3µs, 3µs | |
상승/하강 시간(통상) | 2µs, 3µs | |
입력 유형 | AC, DC | |
출력 유형 | 트랜지스터 | |
전압 - 출력(최대) | 80V | |
전류 - 출력/채널 | 50mA | |
전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.25V | |
전류 - DC 순방향(If) | 50mA | |
Vce 포화(최대) | 300mV | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SOIC(0.179", 4.55mm) | |
공급 장치 패키지 | 4-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | TLP292(GR-TPL,E(T TLP292(GR-TPLE(TTR TLP292(GR-TPLE(TTR-ND TLP292(GR-TPLETR TLP292GRTPLE TLP292GRTPLET | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TLP292(GR-TPL,E | |
관련 링크 | TLP292(GR, TLP292(GR-TPL,E 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
1N5996B | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 | 1N5996B.pdf | ||
RL181S-152J-RC | 1.5mH Shielded Wirewound Inductor 70mA 4 Ohm Max Radial | RL181S-152J-RC.pdf | ||
RAVF164DJT1R30 | RES ARRAY 4 RES 1.3 OHM 1206 | RAVF164DJT1R30.pdf | ||
M24512WMW6T | M24512WMW6T STM SMD or Through Hole | M24512WMW6T.pdf | ||
TLC2543CDBG4 | TLC2543CDBG4 HG SSOP-20 | TLC2543CDBG4.pdf | ||
HC1K-H-5V | HC1K-H-5V N^IS SMD or Through Hole | HC1K-H-5V.pdf | ||
M12L64164A-6TA | M12L64164A-6TA ESMT TSOP54 | M12L64164A-6TA.pdf | ||
DSN9NC51C104Q93A | DSN9NC51C104Q93A muRata SMD or Through Hole | DSN9NC51C104Q93A.pdf | ||
LQM21PN2R2MC0B | LQM21PN2R2MC0B ORIGINAL SMD or Through Hole | LQM21PN2R2MC0B.pdf | ||
CED3055L | CED3055L CET TO251 | CED3055L.pdf | ||
CM4JV13323A | CM4JV13323A ORIGINAL SMD or Through Hole | CM4JV13323A .pdf |